[发明专利]一种SiC掺杂Tax

摘要

本发明涉及一种SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷及其制备方法。其技术方案是：先将无水醇类、乙酰丙酮、钽盐、铪盐和碳源混合，搅拌，在180～240℃条件下保温，蒸馏，得到Ta1‑xHfxC陶瓷前驱体，0.01≤x≤0.99。再将所述Ta1‑xHfxC陶瓷前驱体与硅源混合均匀，得到溶胶。将所述乙醇和所述去离子水加入所述溶胶中，搅拌，干燥，得到Si‑TaxHf1‑xC陶瓷前驱体。然后将所述Si‑TaxHf1‑xC陶瓷前驱体放入石墨坩埚内并置于炭化炉中，在氩气气氛下升温至1600～1800℃，保温，冷却，得到SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷。本发明具有工艺简单、成本低、生产周期短、能耗低和产率高特点，所制备的SiC掺杂TaxHf1‑xC陶瓷纯度高、均匀性好和高温抗氧化性能优异。