[发明专利]晶体管结构与其工艺方法在审
| 申请号： | 201911168953.8 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN111223934A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 卢超群 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一通道区、一漏极和一源极。所述栅极位于一第一硅材料的一硅表面上；所述通道区位于所述硅表面下且包含一第一端和一第二端。所述漏极和所述源极独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来。所述漏极包含一第一预定实体边界，所述第一预定实体边界直接连接所述第一端，所述源极包含一第二预定实体边界，以及所述第二预定实体边界直接连接所述第二端。所述漏/源极包含位于所述硅表面下的一下方部份，所述下方部份的底部局限于一绝缘区，以及所述漏/源极中除了所述下方部分外的侧壁局限于一间隔层。本发明相较于现有技术，可以在所述晶体管结构的关闭状态时仍具有低漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 与其 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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