[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201911172069.1 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110867519A 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 段羽;刘云飞;丁韬;陈啸天 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;朱阳波
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明公开了一种发光二极管及其制备方法,所述发光二极管包括:衬底、依次设置在所述衬底上的第一电极、功能层以及第二电极;所述功能层包括:依次设置的空穴传输层、发光层、电子传输层,所述空穴传输层采用钙钛矿吸光传输层,或所述电子传输层采用钙钛矿吸光传输层。由于钙钛矿吸光传输层对电子或空穴均具有较好的传输性能,因此可以作为电子传输层或空穴传输层,提升LED的发光性能,又由于钙钛矿吸光传输层具有较好的吸收率,较低的反射率,可以提高LED的对比度。可见,采用钙钛矿吸光传输层作为电子传输层或空穴传输层,可以同时提高发光性能和对比度。
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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