[发明专利]半导体结构的形成方法、半导体器件在审
| 申请号： | 201911174025.2 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951720A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 金吉松;吴轶超 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法、半导体器件，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀层；在待刻蚀层上形成多个分立的核心层；在核心层的侧壁上形成第一侧墙，核心层与位于核心层侧壁上的第一侧墙构成一组图形单元，多组图形单元之间间隔排列；形成位于图形单元侧壁上的第二侧墙，相邻的第二侧墙与待刻蚀层围成凹槽；在凹槽中形成第三侧墙；去除核心层；去除第二侧墙，以第一侧墙和第三侧墙为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成目标图形。本发明实施例有利于防止相邻核心层之间的间距落入光刻工艺的禁止周期中，进而有利于降低形成核心层的光刻工艺的工艺难度、增大形成核心层的光刻工艺的工艺窗口，相应有利于提高目标图形的形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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