[发明专利]一种芯片结构及其制作与测试方法在审

专利信息
申请号: 201911175000.4 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110739350A 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 任远;刘宁炀;李祈昕;李成果;陈志涛 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L29/778 分类号: H01L29/778;H01L23/544;H01L21/66;H01L21/335
代理公司: 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人: 胡蓉
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供了一种芯片结构及其制作与测试方法,涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极;功能电极设置于功能层远离衬底的一侧;其中,多个功能层中的任意一层设置有通孔;该芯片结构还包括检测电极,检测电极安装于通孔。本申请提供的芯片结构及其制作与测试方法具有能够区分出不同功能层的缺陷性质、物理机制和对芯片特性影响的效果。
搜索关键词: 芯片结构 功能层 衬底 功能电极 检测电极 通孔 半导体技术领域 测试 缺陷性质 物理机制 芯片特性 制作 申请
【主权项】:
1.一种芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:/n衬底;/n与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极;所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧;其中,所述多个功能层中的任意一层设置有通孔;/n检测电极,所述检测电极安装于所述通孔。/n
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