[发明专利]半导体结构和互连结构的制备方法在审
| 申请号： | 201911179245.4 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864089A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 朱德龙 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构和互连结构的制备方法；包括如下步骤：提供导电结构和位于导电结构上的介质层；于介质层内形成互连通孔，互连通孔暴露所述导电结构；对互连通孔的侧壁进行亲水处理，以使得互连通孔的侧壁形成亲水基团；选择性地于互连通孔的侧壁形成导电阻挡层，导电阻挡层覆盖互连通孔的侧壁；于互连通孔内形成导电层，导电层与导电结构连接以形成互连结构。上述互连结构的制备方法中通过对互连通孔的侧壁进行亲水处理，使得互连通孔的侧壁形成亲水基团，可以仅在互连通孔的侧壁上形成导电阻挡层，互连结构与导电结构之间没有导电阻挡层，可以降低互连结构与导电结构的接触电阻，从而降低整体器件的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 互连 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911179245.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种抽屉式洗碗机
- 下一篇：显影装置及其显影方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
