[发明专利]一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法在审
| 申请号： | 201911180927.7 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110970329A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 邓月忠;温国豪;褚宏深;宋旭官;黄正信 | 申请（专利权）人： | 丽智电子（昆山）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/78 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于可溶解的保护膜制备晶体二极管的方法，包括以下步骤：（1）基板处理：包括在基板的正面和背面的对应区域进行刻蚀，形成刻蚀区其中，所述的基板包括基板A和基板B；（2）贴附保护膜：将步骤（1）所述获得的若干个成对所述的基板A和所述的基板B、按矩阵排列形式放置在保护膜上，所述基板的背面贴附在保护膜上；（3）制备二极管半成品；（4）去除保护膜：采用有机溶剂溶解所述的保护膜；（5）制备二极管成品：将所述封装层进行切割成粒。本发明通过在基板背面贴有保护膜的设计可完全阻隔封装胶渗透到基板背电极的问题，降低了尺寸对精度的限制，有利于所制作的晶体二极管相小型化发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 可溶解 保护膜 制备 晶体二极管 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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