[发明专利]基于负阻效应器件实现磁电阻比值放大的电路结构有效
| 申请号： | 201911181326.8 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN111010096B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 张昆;陈磊;张悦;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H03F3/217 | 分类号： | H03F3/217;H03F1/02 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 王丹丹 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于负阻效应器件实现磁电阻比值方法的电路结构，包括匹配电阻、磁电阻单元、第一负阻效应器件和第二负阻效应器件，匹配电阻与第一负阻效应器件并联组成第一电路，磁电阻单元与第二负阻效应器件并联组成第二电路，且第一电路和第二电路串联；基于负阻效应器件所特有的非线性输运性质本身的特性及其创造性应用，实现磁电阻比值的放大，有效提高开关比，可以应用于磁传感和磁存储等领域，提高传感精度和存储密度；并且在此基础上，通过多个隧道二极管构建独特的磁电对称性，实现高开关比的可重构逻辑运算，解决目前冯诺伊曼架构的瓶颈，实现高速度、低功耗的信息处理。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 效应 器件 实现 磁电 比值 放大 电路 结构 | ||
【主权项】：
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