[发明专利]一种瞬态电压抑制二极管及电子产品在审
| 申请号： | 201911185005.5 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110854206A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 李登辉;许成宗;刘凯哲 | 申请（专利权）人： | 上海韦尔半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬态电压抑制二极管及电子产品，包括：衬底，设置在所述衬底上方的外延层和设置在外延层内的阱区，所述阱区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相反，其特征在于，所述阱区的外围设置有第一沟槽，所述第一沟槽的外围设置有第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽贯穿所述外延层并延伸至所述衬底，所述第一沟槽填充有绝缘材料，所述第二沟槽填充有导电材料；本发明还公开了一种包括上述一种瞬态电压抑制二极管的电子产品。本发明公开的技术方案可以大幅增加芯片的有效面积，增强产品的浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 电压 抑制 二极管 电子产品 | ||
【主权项】：
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