[发明专利]晶圆膜层厚度检测方法及洗边边界检测方法在审
| 申请号： | 201911186920.6 | 申请日： | 2019-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN110767566A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 冯亚丽 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的晶圆膜层厚度检测方法及洗边边界检测方法中，所述晶圆表面设有多个扫描区；预设扫描路径，沿所述扫描路径对各所述扫描区进行扫描，得到各所述扫描区的第一扫描图像；对所述第一扫描图像进行数据处理，得到各所述扫描区的厚度值。过程简单，能够较快的得到所述晶圆膜层的厚度值；进一步的，通过对相邻的两个所述扫描区的厚度值进行差值计算；将所述差值与一预设阈值进行比较，根据比较结果得到洗边边界，其中，若所述差值不在所述预设阈值内，则判断两个所述扫描区之间的扫描边为洗边边界。由此，能够方便的得到洗边边界。 | ||
| 搜索关键词： | 扫描区 洗边 预设 扫描路径 扫描图像 晶圆 膜层 边界检测 差值计算 厚度检测 晶圆表面 数据处理 扫描边 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆膜层厚度检测方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供晶圆，所述晶圆表面设有多个扫描区；/n预设扫描路径，沿所述扫描路径对各所述扫描区进行扫描，得到各所述扫描区的第一扫描图像；/n对所述第一扫描图像进行数据处理，得到各所述扫描区的厚度值。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911186920.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：反溅射率的测量方法
- 下一篇：反应腔室和半导体热处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
