[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种半导体结构，包括：基底；第一支撑层，电容接触结构，形成于基底内，第一支撑层内形成有电容孔，电容接触结构延伸至第一支撑层内的部分与第一支撑层之间具有间隙；下电极层，包括主体部及延伸部；延伸部填充于间隙内，不仅下电极层的主体部接触电容接触结构，同时下电极层的延伸部接触电容接触结构靠近第一支撑层的侧面，使得下电极层与电容接触结构之间的接触面积增大，因此降低了接触电阻，同时主体部与延伸部共同组成下电极层使得下电极层呈嵌入第一支撑层与电容接触结构之间的状态，增加了下电极层的稳定性，能够在一定程度上防止电容侧倾或产生剥落缺陷，有利于动态存储器进一步缩小半导体元件的尺寸大小。