[发明专利]一种具有双层结构的无源器件及制作方法有效
申请号: | 201911191053.5 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111063659B | 公开(公告)日: | 2022-08-19 |
发明(设计)人: | 王淋雨;陈建星;林易展;郑伯涛;林伟;章剑清;郭一帆;邱文宗 | 申请(专利权)人: | 福建省福联集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/24 |
代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 徐剑兵;张忠波 |
地址: | 351117 福建省莆*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有双层结构的无源器件及制作方法,其中制作方法包括如下步骤:在晶圆上制作电阻;涂布桥墩光阻,在待制作电感的桥墩处进行显影,待制作电感位于电阻的上方,桥墩处与电阻具有间隙;在桥墩处制作桥墩,桥墩用于支撑待制作电感;涂布桥面光阻,对待制作电感处进行显影,桥面光阻定义电感的形状;沉积金属,在待制作电感处形成电感;去除桥墩光阻和桥面光阻,电感以桥墩为支撑点位于电阻的上方。本发明以桥墩为支撑点将电感承载在电阻的上方,从而形成双层结构的无源器件,最多可节约50%的空间,缩小无源器件体积,利于集成化;其次无源器件体积的缩减可节约成本,提高利润率;再者空气的介电常数小,降低了电感处的寄生效应。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 双层 结构 无源 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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