[发明专利]Si钝化的Ge栅极堆叠体在审
| 申请号： | 201911192022.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111354786A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 有村拓晃;A·P·彼得;H·F·W·德克士 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;江磊 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在第一方面中，本发明涉及形成场效应晶体管的栅极堆叠体的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将Si封盖层(200)沉积在Ge通道材料(100)上；以及(b)通过等离子体增强沉积技术在200℃或更低的温度以及100W或更低、优选90W或更低的等离子体功率下，将氧化物层(300)沉积在Si封盖层(200)上。 | ||
| 搜索关键词： | si 钝化 ge 栅极 堆叠 | ||
【主权项】：
暂无信息
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