[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201911192588.4 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN110729312B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 王国英;宋振 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 尹璐 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括：第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有第一有源层以及第一输出端电极，所述第一有源层为金属氧化物形成的；第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二有源层以及第二栅极，所述第二有源层为低温多晶硅形成的，所述第二有源层位于所述第二栅极远离所述基板的一侧，且所述第二栅极通过过孔与所述第一输出端电极相连。该显示基板中第二薄膜晶体管位于第一薄膜晶体管远离基板的一侧，因此在制备时可以利用形成第二栅极的金属层阻挡硅烷气体中的H。由此，可以有效降低多晶硅沉积过程的H对金属氧化物薄膜晶体管的影响，提高基板的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板，其特征在于，包括：/n基板；/n第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管具有第一有源层以及第一输出端电极，所述第一有源层为金属氧化物形成的，所述第一输出端电极位于所述第一有源层远离所述基板的一侧，所述第一输出端电极为所述第一薄膜晶体管的源极或者漏极；/n第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管具有第二有源层以及第二栅极，所述第二有源层为低温多晶硅形成的，所述第二有源层位于所述第二栅极远离所述基板的一侧，且所述第二栅极通过过孔与所述第一输出端电极相连。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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