[发明专利]热处理装置和热处理方法在审
| 申请号： | 201911193354.1 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111276396A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 七种刚 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/30 | 分类号： | H01L21/30;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;王昊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种在对基板进行加热处理的热处理装置中，提高基板的热处理的面内均匀性的技术。本发明的热处理装置包括：将载置的基板加热至第1温度的热板；具有支承上述基板的支承部，在上述热板的上方区域和从该上方区域在横向离开的外侧区域之间搬送该基板的搬送体；在上述上方区域中的上述搬送体和上述热板之间交接上述基板的交接机构；在上述外侧区域中将由上述支承部支承的上述热板进行加热前的基板加热至比上述第1温度低的第2温度的加热机构；和为了被上述热板加热完而向上述外侧区域搬送，而将由上述支承部支承的上述基板冷却至比上述第2温度低的第3温度的冷却机构。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
