[发明专利]一次可编程存储器的读写电路在审
| 申请号： | 201911193859.8 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112863584A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李新;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18;G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种一次可编程存储器的读写电路，包括：反熔丝阵列，包括：n*n个反熔丝单元，耦接在第一节点和第二节点之间，反熔丝单元中的开关元件的控制端分别耦接于不同字线信号和位线信号的与信号；并联在第二节点和第二电压源之间的第一开关元件和第一电容；基准阵列，包括串联在第一节点和第三节点之间的基准电阻和基准开关元件，基准开关元件的控制端耦接于n*n个与信号的或信号；并联在第三节点和第二电压源之间的第二开关元件和第二电容；比较电路，第一输入端耦接于第二节点，第二输入端耦接于第三节点。本公开实施例具有较简洁的电路连接、较小的电路面积、较高的电路可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 可编程 存储器 读写 电路 | ||
【主权项】：
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