[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件在审
申请号: | 201911194501.7 | 申请日: | 2019-11-28 |
公开(公告)号: | CN111244173A | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 彭成毅;谢文兴;陈文园;何炯煦;李松柏;田博仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/775 | 分类号: | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/167;H01L21/335;H01L21/336;B82Y10/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 半导体器件包括沟道区域、与沟道区域相邻的源极/漏极区域和源极/漏极外延层。该源极/漏极外延层包括外延形成在源极/漏极区域上的第一外延层、外延形成在第一外延层上的第二外延层和外延形成在第二外延层上的第三外延层。该第一外延层包括选自由SiAs层、SiC层和SiCP层组成的组中的至少一个。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
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