[发明专利]半导体装置和其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911199961.9 申请日: 2019-11-29
公开(公告)号: CN111384032A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: A·达卡尔;G·A·门罗 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请案涉及半导体装置和其制造方法。半导体装置具有在所述半导体装置的底部侧处与接地平面接触的保形涂层。在一个实施例中,半导体装置包含耦合到封装衬底的第一表面的半导体裸片。所述半导体装置还可包含覆盖所述封装衬底和所述半导体裸片的至少一部分的模制材料。所述半导体装置还可包含接地平面,所述接地平面在所述封装衬底中,且通过所述封装衬底的与所述第一表面相对的第二表面中的开口暴露。所述半导体装置还可以包含通过所述开口耦合到所述接地平面的保形涂层,所述保形涂层可以屏蔽所述半导体装置免受电磁干扰。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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