[发明专利]共阴极LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201911202411.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911537B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘权锋;庄文荣;孙明;王印;卢敬权 | 申请（专利权）人： | 东莞市中晶半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/38;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种共阴极LED芯片及其制作方法，芯片包括p型半导体层、发光层、n型半导体层、凹槽、连接层、透明导电层、量子点层及保护层，凹槽贯穿n型半导体层、发光层及p型半导体层，以隔离出多个LED单元，连接层横跨于凹槽上，其两端分别与相邻两LED单元的n型半导体层接触，实现相邻的LED单元的阴极共连。本发明的LED芯片，采用共阴极设计，可将多个LED芯片整合为一个整体，转移量为传统方法的三分之一以下，且芯片尺寸较单颗芯片大，转移难度相对较低，可解决现有Micro LED转移难度大、转移次数多、较低转移良率和相邻LED间颜色窜扰的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 阴极 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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