[发明专利]光电二极管及其制备方法有效
申请号: | 201911203586.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN111048617B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 肖军城;艾飞;宋继越 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/105 | 分类号: | H01L31/105;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 在本申请提供的光电二极管及其制备方法中,包括P电极、N电极以及用于连接P电极和N电极的导电沟道;其中,导电沟道包括第一导电沟道图案、第二导电沟道图案和第三导电沟道图案,第二导电沟道图案位于第一导电沟道图案与第三导电沟道图案之间,第一导电沟道图案与第三导电沟道图案均为梳子状结构,且第一导电沟道图案、第二导电沟道图案以及第三导电沟道图案相互配合呈咬合状,通过把光电二极管的导电沟道设置成梳子状结构,且能相互配合呈咬合状,从而增大了二极管的结面积,进而提高了光生电流,从而解决在满足器件的响应速度的前提下通过提高感光传感器的光生电流来提升指纹识别灵敏度的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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