[发明专利]制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201911204482.1 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261592B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 张筱君;沈冠傑 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露揭示一种制造半导体装置的方法，方法包括在基板上设置各自具有初始鳍片轮廓的两个或两个以上鳍片。将牺牲氧化物层生长于两个或两个以上鳍片中的第一鳍片及第二鳍片上。第一鳍片及第二鳍片的牺牲氧化物层经蚀刻以修整鳍片并产生第一鳍片及第二鳍片的次一鳍片轮廓。生长步骤及蚀刻步骤经重复以修整第一鳍片及第二鳍片，使得针对第一鳍片及第二鳍片的重复的次数不同。栅极结构形成于两个或两个以上鳍片上方。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
