[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911205242.3 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN111261699A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 乔治斯·威廉提斯;荷尔本·朵尔伯斯;马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/161;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： |
一种半导体器件包括全环栅场效应晶体管(GAA FET)。GAA FET包括由第一半导体材料制成的沟道区，该沟道区设置在由第二半导体材料制成的底部鳍层上方，以及由第三半导体材料制成的源极/漏极区。第一半导体材料是Si |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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