[发明专利]半导体器件、半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911205677.8 | 申请日： | 2019-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN112885780A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 白杰 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体器件、半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底包括间隔设置的隔离结构及位于相邻两个隔离结构之间的第一有源区，第一有源区具有预设外延区；在预设外延区形成预设半导体层，预设半导体层的电子亲和能大于半导体衬底的电子亲和能；在预设半导体层和半导体衬底共同构成的表面形成栅介质层；在栅介质层的表面上形成栅极层。本公开的半导体器件、半导体结构及其制备方法可减小栅极层厚度，提高栅极层的栅极控制能力，减小短沟道效应，简化制备工艺，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
