[发明专利]一种三维NAND存储器单元的建模方法及装置有效
| 申请号： | 201911211728.8 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN110991039B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 袁明红 | 申请（专利权）人： | 南京华大九天科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06T17/00 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市中国（江苏）自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种三维NAND存储器单元的建模方法，包括以下步骤：遍历所有存储器单元，得到所有层存储器单元的电阻特性关系；运用BSIM4器件模型方法得到虚设存储器单元的电流/电压模型；对所有存储器单元进行遍历测试，得到不同行为的电流/电压数据；利用所述电阻特性关系和所述虚设存储器单元的电流/电压模型，优化各个层存储器单元电阻的权重系数，得到实际存储器单元器件电流/电压特性。本发明提供的一种三维NAND存储器单元的建模方法，得到实际存储器单元器件特性精确的仿真出存储器单元的器件特性，并建立一种模型来描述不同电压条件下的存储器单元的电流/电压关系。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 nand 存储器 单元 建模 方法 装置 | ||
【主权项】：
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