[发明专利]形成半导体结构的方法及半导体结构在审
| 申请号： | 201911212616.4 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112908846A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 叶昌鑫;黄俊凯;洪政源;田伟辰;吴以德 | 申请（专利权）人： | 财团法人金属工业研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成半导体结构的方法及半导体结构，此方法包含提供半导体基板，以及使用原子层气相沉积设备，在半导体基板上形成钝化层，且此半导体结构包含半导体基板、钝化层、背电场层以及电极层。背电场层设置于钝化层上。背电场层与半导体基板分别位于钝化层的相对两侧。电极层设置于背电场层上。电极层与该钝化层分别位于该背电场层的相对两侧。本发明可在低温的环境下形成薄厚度、高均匀度及低介面缺陷密度的钝化层，故可降低热预算，以避免可能对半导体基板的伤害，且可提升钝化层的形成品质，例如提升钝化层的披覆效果。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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