[发明专利]半导体晶片表面保护剂有效
| 申请号： | 201911218723.8 | 申请日： | 2019-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN111500196B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 坂西裕一 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供抑制由碱性化合物腐蚀半导体晶片表面腐蚀、从而使半导体晶片低缺陷化的表面保护剂。本发明的半导体晶片表面保护剂包含下述式(1)表示的化合物：R |
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| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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