[发明专利]使用自下而上氧化途径的具有削减沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构在审
| 申请号： | 201911227882.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111415989A | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | W.拉赫马迪;G.杜威;J.T.卡瓦列罗斯;A.利拉克;P.莫罗;A.范;黄政颖;E.曼内巴赫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李伟森;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构，以及使用自下而上氧化途径制备具有去填充沟道结构的栅极全环绕式集成电路结构的方法。例如，集成电路结构包括衬底上方的纳米线竖直布置。纳米线竖直布置具有在一个或多个氧化纳米线上方的一个或多个有源纳米线。栅极堆叠在纳米线竖直布置之上，并环绕一个或多个氧化纳米线。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 自下而上 氧化 途径 具有 削减 沟道 结构 栅极 环绕 集成电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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