[发明专利]一种碳化硅高压MOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911227912.1 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111129109A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴苏州;高莹;李晓云;叶怀宇;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 阎冬 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅高压MOS器件及其制造方法，包括：N+型碳化硅衬底；第一外延层、第二外延层、沟槽栅结构、源电极、漏电极。本发明所提出的碳化硅高压MOS器件及其制备方法能使器件的耗尽区变宽，该器件可以承受更高的击穿电压，同时具有更小漏电流。本发明将栅氧化层设置为纵向，嵌入到碳化硅体内。导通时，电流纵向流动，电流路径更短，因此导通电阻更低，电流能力更强。另一方面，同时也可以节省器件面积，提高单位面积内的器件个数，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高压 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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