[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911228740.X | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111341833A | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 尹炅一;吴容哲 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 李艳霞;唐芳芳 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，所述结构包括第一源极/汲极区及第二源极/汲极区形成在基板的顶表面下方，及闸极结构设置在所述第一源极/汲极区及所述第二源极/汲极区之间。所述第一源极/汲极区的总体积大于所述第二源极/汲极区的总体积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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