[发明专利]一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法在审
| 申请号： | 201911230421.2 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110950372A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 张开友;薛永刚;吴丽婷;张瑜;覃爱苗;陈硕平 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | C01G3/00 | 分类号： | C01G3/00;C23C18/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列的制备方法，该微米线阵列均匀分布于泡沫镍骨架上，其直径约为0.5～3微米，长度约为50～200微米。制备过程主要分为在泡沫镍上镀铜和水热反应生长四硫七铜一钾微米线阵列两步。泡沫镍上镀铜：先将泡沫镍用盐酸处理，再将其放入镀铜溶液中浸泡一定时间，经清洗和干燥后即得镀铜的泡沫镍。在镀铜的泡沫镍上生长四硫七铜一钾微米线阵列：先按一定比例配制含有无水乙醇、硫粉和氢氧化钾的混合液，接着将该混合液转移到内衬为聚四氟乙烯的反应釜中，并放入镀铜的泡沫镍，密封后进行水热反应，反应结束后经清洗、干燥，即得到在泡沫镍上生长的四硫七铜一钾微米线阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泡沫 生长 四硫七铜一钾 微米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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