[发明专利]提高氧化碲还原效率的方法在审
| 申请号： | 201911234328.9 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110775948A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 龙剑平;周堃;杨武勇;杨士杰;张程 | 申请（专利权）人： | 成都理工大学;峨嵋半导体材料研究所 |
| 主分类号： | C01B19/02 | 分类号： | C01B19/02 |
| 代理公司： | 51226 成都希盛知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑旭;武森涛 |
| 地址： | 610051 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及提高碲氧化物还原效率的方法，属于回收利用领域。提高氧化碲还原效率的方法，步骤为，将氧化碲放入管式反应器中，通入氩气排除反应器中的空气，再通入氢气对氧化碲进行处理，反应温度为250‑350℃，反应完成后，再将氢气改为氩气，待还原产物降至室温后，得到还原的碲粉；其中，所述管式反应器有两端，一端设置为进气口，供氢气或氩气通入；另一端设置为排气口，排气口用多孔石英塞堵住。本发明的技术方案提高了氧化碲的还原效率，在2h内，还原率高达97％。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化碲 氩气 还原效率 氢气 管式反应器 一端设置 排气口 进气口 多孔石英 还原产物 回收利用 碲氧化物 反应器 还原率 放入 碲粉 还原 堵住 | ||
【主权项】：
1.提高氧化碲还原效率的方法，其特征在于：将氧化碲放入管式反应器中，通入氩气排除反应器中的空气，再通入氢气对氧化碲进行处理，反应温度为250-350℃，反应完成后，再将氢气改为氩气，待还原产物降至室温后，得到还原的碲粉；/n其中，所述管式反应器有两端，一端设置为进气口，供氢气或氩气通入；另一端设置为排气口，排气口用多孔石英塞堵住。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都理工大学;峨嵋半导体材料研究所，未经成都理工大学;峨嵋半导体材料研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911234328.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
