[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201911235788.3 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN110911414B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 曹启鹏;付博;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/70 | 分类号： | H10B41/70;H10B41/40;H10B41/30;H10B41/42 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明通过在所述半导体衬底上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层覆盖了部分的所述存储区，并在所述字线栅极沿其延伸方向的端面上暴露出部分长度的字线栅极，所述图形化的掩模层还覆盖了所述逻辑区用于形成逻辑栅极的区域，使得在刻蚀形成逻辑栅极时，字线栅极端面上的部分长度的共享字线被刻蚀掉，避免共享字线和控制栅极之间在存储器边缘因隔离氮化硅缺失导致的短路问题，从而避免了分栅快闪存储器的失效问题。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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