[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
申请号: | 201911236067.4 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN112928164B | 公开(公告)日: | 2023-10-17 |
发明(设计)人: | 成国良;张文广;郑春生;张华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/205 |
代理公司: | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高静 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构的形成方法包括:提供基底,所述基底包括衬底以及凸出于所述衬底的鳍部;采用等离子体增强原子层沉积工艺,在所述鳍部的顶部和侧壁、以及所述衬底表面形成第一氧化层,形成第一氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第一功率;采用等离子体增强原子层沉积工艺,在所述第一氧化层上形成第二氧化层,形成第二氧化层的等离子体增强原子层沉积工艺采用的输出功率为第二功率,所述第二功率大于所述第一功率,所述第二氧化层与所述第一氧化层用于构成栅氧化层。本发明实施例有利于提高栅氧化层的形成质量,进而有利于提高栅氧化层的电学性能,相应优化了半导体结构的性能。 | ||
搜索关键词: | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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