[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201911236816.3 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN112928165A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 吴凡;高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成衬底和位于衬底上的初始图形层，初始图形层利用刻蚀工艺所形成；利用等离子体沉积工艺，在初始图形层的侧壁形成覆盖层，初始图形层和覆盖层作为图形层。利用等离子体沉积工艺在初始图形层的侧壁形成覆盖层的过程中，该沉积工艺产生的等离子体能够去除初始图形层侧壁的悬挂键，使得初始图形层的侧壁具有较小的面粗糙度，覆盖层形成在初始图形层的侧壁，因此图形层的侧壁面粗糙度较小，且覆盖层通过等离子体沉积工艺形成，因此覆盖层的表面不具有悬挂键，从而覆盖层的侧壁上不易与环境中的水、O和H接触形成悬挂键，这使得图形层侧壁的面粗糙度较小，从而有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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