[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201911239722.1 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928094A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 平尔萱;周震 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/532;H01L21/768;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括：衬底，包括相互间隔排布的有源区和浅沟槽隔离区；多个隔离结构，位于所述衬底表面；多个凹槽，位于所述多个隔离结构之间，所述凹槽的底部具有第一斜面，所述第一斜面形成于所述有源区；导电插塞，位于所述凹槽中。本公开实施例可以避免在存储接触插塞结构制造过程中在多晶硅内部形成空气隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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