[发明专利]一种ZrC/SiC/C复相陶瓷前驱体材料及其制备方法有效
申请号: | 201911239781.9 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111057244B | 公开(公告)日: | 2020-10-23 |
发明(设计)人: | 吴雨桓;赵彤;叶丽;韩伟健 | 申请(专利权)人: | 中国科学院化学研究所 |
主分类号: | C08G77/60 | 分类号: | C08G77/60;C04B35/56 |
代理公司: | 北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 | 代理人: | 李达宽 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种ZrC/SiC/C复相陶瓷前驱体材料及其制备方法,所述前驱体在温度1600℃热解转化为复相陶瓷,所述复相陶瓷中的锆含量不低于50wt%,硅含量不低于10wt%。所述前驱体的制备方法则是将聚硅乙炔,二氯二茂锆和正丁基锂在无水无氧条件下的一锅法反应合成的,其中,二氯二茂锆作为锆源,聚硅乙炔作为硅源,在较低的温度下加入正丁基锂进行进一步反应制备而成。本发明制备的聚合物前驱体有望用作陶瓷基复合材料及碳/碳复合材料的浸渍基体,以提高其超高温抗氧化性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 zrc sic 陶瓷 前驱 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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