[发明专利]集成电路器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201911241565.8 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111613622A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 尹壮根;李载惪;宋在爀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京市立方律师事务所 11330 代理人: 李娜;王占杰
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件可以包括交替地堆叠的多个字线结构和多个绝缘膜。所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的侧面限定了延伸穿过所述多个字线结构和所述多个绝缘膜的沟道孔的侧面。所述器件还可以包括位于所述沟道孔的侧面上的阻挡介电膜,以及位于所述阻挡介电膜且分别位于所述多个字线结构的侧面上的多个电荷存储膜。所述多个电荷存储膜中的每一个电荷存储膜可以包括顺序地堆叠在所述多个字线结构的侧面中的相应侧面上的第一电荷存储膜和第二电荷存储膜。所述第二电荷存储膜的表面可以在其中间部分包括凹部。
搜索关键词: 集成电路 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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