[发明专利]一种降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法在审
| 申请号： | 201911245616.4 | 申请日： | 2019-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111020659A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张友亮;仉喜峰;孙菲菲;李军 | 申请（专利权）人： | 爱科科技有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;C25D5/14;C25D5/34;H01F41/02 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所(普通合伙) 37223 | 代理人： | 张雯 |
| 地址： | 255000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法，属于烧结钕铁硼永磁材料表面处理领域。其特征在于：包括如下步骤：1）将钕铁硼永磁材料进行去灰；2）将钕铁硼永磁材料在封孔剂中浸泡，然后进行水洗，其中，封孔剂为醇胺类化合物；3）依次通过除油剂和酸对水洗后的钕铁硼永磁材料进行清洗；4）对钕铁硼永磁材料活化，然后再进行电镀。本降低钕铁硼永磁材料表面镀层孔隙率的方法在电镀前进行封孔处理，是通过毛细管作用将水吸入空隙内，使空隙内部的氧化物通过水合作用生成水合氧化物，以增大氧化物的体积，从而封闭孔隙；进而可以降低镀层的孔隙率，使镀层更加平整、光亮，且能降低磁体的磁通量损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 钕铁硼 永磁 材料 表面 镀层 孔隙率 方法 | ||
【主权项】：
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