[发明专利]JFET器件的制造方法、JFET器件及其版图结构有效
| 申请号： | 201911255993.6 | 申请日： | 2019-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111128727B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡莹;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/808 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种JFET器件的制造方法、JFET器件及其版图结构，该制造方法包括：提供一衬底；在衬底的第一预定区域和第二预定区域进行离子注入，形成深N型阱，该深N型阱在第二预定区域形成有至少两个子阱，子阱呈横向方向的梯度浓度；在第二预定区域形成场氧层；在深N型阱内，子阱的一侧形成P型阱；在第三预定区域和第四预定区域进行P型离子注入，分别形成第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区；在第五预定区域、第六预定区域和第七预定区域进行N型离子注入，分别形成第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区和第三N型重掺杂区。本申请通过形成包括至少两个具有呈横向方向的梯度浓度的子阱的深N型阱，能够在不设置PTOP的情况下实现了较高的电流密度。 | ||
| 搜索关键词： | jfet 器件 制造 方法 及其 版图 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
