[发明专利]Topcon结构电池及其制备方法有效
申请号: | 201911257166.0 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111009583B | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 李翔;张密超;姚俊 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙) 32342 | 代理人: | 罗宏伟 |
地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种Topcon结构太阳能电池及其制备方法,Topcon结构太阳能电池包括位于硅片背面的遂穿层、位于所述遂穿层背面的掺杂多晶硅层、位于所述掺杂多晶硅层背面的背面减反射层、位于所述背面减反射层背面的背面电极;所述Topcon结构电池还包括位于所述掺杂多晶硅层与所述背面减反射层之间的浆料阻挡层和背面透明导电膜,所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述掺杂多晶硅层之间,或所述背面透明导电膜位于所述浆料阻挡层与所述背面减反射层之间。本发明的Topcon结构电池及其制备方法,通过设置所述浆料阻挡层与所述背面透明导电膜,可以避免电极浆料烧结穿透掺杂多晶硅层、隧穿层,不但有效改善电池结构,还能降低掺杂多晶硅层厚度,改善电池效率,提高生产良率;同时通过所述背面透明导电膜提高电流收集作用。 | ||
搜索关键词: | topcon 结构 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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