[发明专利]CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端有效
| 申请号： | 201911263033.4 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN110929420B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 范象泉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;唐嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端。所述方法包括：接收第一值；基于所述第一值，获得第一函数的当前值；所述第一函数以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值为自变量的函数，且在所述CMOS射频开关处于开态时，所述第一函数的值为第一函数值，在所述CMOS射频开关处于关态时，所述第一函数的值为第二函数值；所述第一函数值小于第二函数值；接收第二值；接收第三值；基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值；基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值。采用上述方案，可以提高基于SOI工艺的CMOS射频开关的仿真速度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 射频 开关 仿真 方法 装置 通信 终端 | ||
【主权项】：
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