[发明专利]一种石墨薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911264433.7 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111072022A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;隋妍萍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/205 | 分类号： | C01B32/205;C01B32/21 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种石墨薄膜的制备方法，包括以下步骤：获取镍衬底；将固态碳源覆盖于镍衬底的上表面，固态碳源与镍衬底的上表面紧密接触；将已覆盖固态碳源的镍衬底放入无氧反应器中；对镍衬底进行加热使镍衬底的温度达到设定温度，设定温度的范围为500‑1500摄氏度；将镍衬底在设定温度保持设定时间；对镍衬底进行降温使镍衬底的温度降至室温；去除镍衬底的上表面残余的固态碳源，镍衬底的上表面和下表面均获得石墨薄膜。本申请提供的石墨薄膜的制备方法重复性高、简单易行，能够用于大面积高质量石墨薄膜的规模批量制备；且该方法能够利用固态碳源在镍衬底上下表面制备出大面积、高质量、层数可控、分布均匀且可转移的石墨薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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