[发明专利]像素结构、制作方法及面板在审
申请号: | 201911266684.9 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN110828504A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 廖良生;祝晓钊;梁舰 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/32 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李艾 |
地址: | 215168 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种像素结构、制作方法及面板,该像素结构包括基板,基板内设有驱动电路,基板上从下至上依次设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素;第一子像素的下表面通过第一电极与驱动电路连接,第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与驱动电路连接,第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与驱动电路连接,第三子像素的上表面通过第四电极与驱动电路连接;第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元,驱动电路通过调节第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 面板 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的