[发明专利]一种纳米薄膜透射电镜原位加热芯片制样方法在审
| 申请号： | 201911271216.0 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110926899A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 王双宝;董泽健;刘玉莹;沈培康 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/44;G01N23/2005;G01N23/04;G01N23/20 |
| 代理公司： | 广州市红荔专利代理有限公司 44214 | 代理人： | 李彦孚 |
| 地址： | 530004 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开一种纳米薄膜的透射电镜原位加热芯片制样方法，包括以下步骤：（1）液体注入装置的选择（2）液体注入装置的清洗和固定（3）将铜丝一端弯成铜环；（4）将铜环移至薄膜样品附近，将薄膜样品捞起至铜环上；（5）将微量进样器中的液体挤出一个液滴；（6）将铜环移至微量进样器尖端的液滴附近，使薄膜样品吸附在液滴上；（7）将液滴精确吸附在样品观察区域然后移走微量进样器；（8）将芯片自然干燥；（9）将自然干燥后的芯片加热烘烤。本发明能实现纳米薄膜在透射电镜原位加热芯片中Si3N4薄膜观察区的精确滴定，无需对Si基片进行亲水处理，降低成本，避免表面张力对薄膜的影响，提高制样成功率，降低芯片电极损坏的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 薄膜 透射 原位 加热 芯片 方法 | ||
【主权项】：
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