[发明专利]一种纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法有效
| 申请号： | 201911272120.6 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110817891B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 王峰;潘革波;黄伟;赵海琴;周林华 | 申请（专利权）人： | 苏州料金气体有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明公开了一种纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法，包括：将硅放入第一容器中，第一容器由石墨制成，第一容器置于一密闭的环境温度为50～150℃的反应腔内，第一容器连接电流控制器的阳极，所述电流控制器的阴极连接电子枪；通过控制电流控制器使得电子枪产生电子束轰击硅，使得硅产生硅蒸汽分子；硅蒸汽分子在反应腔内达到一定的压力后，在反应腔内通入相应比例的氧气，控制反应腔内的工作反应压力为2×10 |
||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 高纯 氧化 硅微球粉体 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州料金气体有限公司，未经苏州料金气体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911272120.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
