[发明专利]一种阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201911273331.1 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111081719A | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王选芸 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制造方法。阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相对应设置；所述金属氧化物晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；所述第二电容与所述金属氧化物晶体管单元相对应设置。本发明通过在一个阵列基板的显示区内采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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