[发明专利]半导体器件及半导体器件的测试方法在审
| 申请号： | 201911280962.6 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111380628A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 龟山祯史;池田昌功 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01K13/00 | 分类号： | G01K13/00;G01K15/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;郭星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件及半导体器件的测试方法。一种半导体器件包括第一温度传感器模块、第二温度传感器模块、第一温度控制器和第二温度控制器。第一温度传感器模块包括输出多个分压电压的带隙基准电路、以及对多个分压电压中的一个分压电压执行模数转换处理以生成第一数字值的第一转换电路。第二温度传感器模块包括对多个分压电压中的一个分压电压执行模数转换处理以生成第二数字值的第二转换电路。第一温度传感器控制器将第一数字值转换为第一温度。第二温度传感器控制器将第二数字值转换为第二温度。半导体器件基于第一温度与第二温度之间的差值来确定第一温度模块和第二温度模块是否正常操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
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