[发明专利]间隙可调的Au层和AgAu层的核与CdS壳的纳米材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201911282383.5 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111036935B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 马良;陈相柏 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | B22F9/24 | 分类号： | B22F9/24;B22F1/16;C25B1/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 徐琪琦 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体涉及一种间隙可调的Au层和AgAu层的核与CdS壳的核壳纳米材料及其制备方法和应用。本发明提出利用单次或多次循环置换反应的方法，合成具多间隙的Au/AgAu异质纳米晶体，并在其表面原位包裹CdS纳米壳层，制备出纳米间隙可调的(Au/AgAu)@CdS核壳纳米材料。制备出的(Au/AgAu)@CdS，结构稳定、纳米间隙可调、多界面等离激元耦合效应明显、光催化产氢气效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 间隙 可调 au agau cds 纳米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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