[发明专利]一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统有效
| 申请号： | 201911283331.X | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110991072B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;翁笑冬;范凌怡;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统，能够支持SRAM混合仿真，将器件级的仿真信息加入电路级的仿真中，进行单粒子效应仿真分析。该方法包括：分析SRAM单元器件结构模型加入单粒子效应物理模型，提取单粒子效应电流源脉冲；建立多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型并生成SPICE可以使用的仿真模型；根据用户提供的SRAM电路网表文件提取SRAM中的所有敏感节点，生成SRAM敏感节点列表文件；依据前面生成的SPICE可用的多LET单粒子效应脉冲电流源等效模型，结合SRAM敏感电路节点列表文件，编写脚本随机选取SRAM节点和故障注入时间，生成故障注入文件；分别计算翻转阈值和翻转截面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sram 粒子 瞬态 效应 仿真 分析 方法 系统 | ||
【主权项】：
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