[发明专利]Micro-LED芯片及其制造方法有效
申请号: | 201911284951.5 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111081730B | 公开(公告)日: | 2022-12-27 |
发明(设计)人: | 蒋振宇;闫春辉 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法,该Micro‑LED芯片包括:第一金属背衬层;第一LED单元,附着且电连接于第一金属背衬层上;第一平坦化层,附着于第一金属背衬层上,并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露;第二金属背衬层,附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上;第二LED单元,附着且电连接于第二金属背衬层上,其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。通过上述方式,本申请提供的每个LED芯片包括上下层叠且相互错开的至少第一LED单元与第二LED单元,该Micro‑LED芯片的尺寸紧凑,可以提高LED单元的排布密度,降低Micro‑LED芯片的转移成本。 | ||
搜索关键词: | micro led 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳第三代半导体研究院,未经深圳第三代半导体研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201911284951.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的